[发明专利]一种刻蚀副产物智能自清洁方法有效
| 申请号： | 201811026563.2 | 申请日： | 2018-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN109216241B | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 聂钰节;昂开渠;江旻;唐在峰 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种刻蚀副产物智能自清洁方法，适用于对半导体干法刻蚀工艺过程，提供一工艺控制系统及一干法刻蚀设备，还包括以下步骤：步骤S1，工艺控制系统于干法刻蚀设备对应的干法刻蚀工艺开始之前，采集干法刻蚀设备执行之前的干法刻蚀工艺过程中的第一工艺参数；步骤S2，工艺控制系统根据第一工艺参数，获得对干法刻蚀设备进行自清洁的第二工艺参数；步骤S3，工艺控制系统根据第二工艺参数对干法刻蚀设备执行自清洁工艺；步骤S4，干法刻蚀设备执行对应的干法刻蚀工艺，待干法刻蚀工艺执行完毕后返回步骤S1。本发明的技术方案有益效果在于：减少刻蚀过程中因聚合物累积造成的刻蚀缺陷颗粒源，改善晶圆批次作业的首枚效应问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 副产物 智能 清洁 方法 | ||
【主权项】：
1.一种刻蚀副产物智能自清洁方法，适用于对半导体干法刻蚀工艺过程，其特征在于，提供一工艺控制系统及一干法刻蚀设备，所述工艺控制系统与所述干法刻蚀设备信号连接，还包括以下步骤：步骤S1，所述工艺控制系统于所述干法刻蚀设备对应的干法刻蚀工艺开始之前，采集所述干法刻蚀设备执行之前的干法刻蚀工艺过程中的第一工艺参数；步骤S2，所述工艺控制系统根据所述第一工艺参数，获得对所述干法刻蚀设备进行自清洁的第二工艺参数；步骤S3，所述工艺控制系统根据所述第二工艺参数对所述干法刻蚀设备执行自清洁工艺；步骤S4，所述干法刻蚀设备执行对应的干法刻蚀工艺，待所述干法刻蚀工艺执行完毕后返回所述步骤S1。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
