[发明专利]晶圆级封装方法以及封装结构有效
| 申请号： | 201811026717.8 | 申请日： | 2018-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN110875201B | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 罗海龙;克里夫·德劳利 | 申请（专利权）人： | 中芯集成电路（宁波）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/31;H01L23/528;H01L25/16 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静;李丽 |
| 地址： | 315800 浙江省宁波市北*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种晶圆级封装方法和封装结构，所述晶圆级封装方法包括：提供器件晶圆，所述器件晶圆包括多个第一芯片，所述第一芯片包括第一电极，且所述第一电极由所述器件晶圆露出，所述器件晶圆露出所述第一电极的面为晶圆正面；提供多个第二芯片，所述第二芯片包括第二电极，且所述第二电极由所述第二芯片露出，所述第二芯片露出所述第二电极的面为芯片正面，与所述芯片正面相背的面为芯片背面；使所述第二芯片的芯片背面键合于所述第一芯片之间的晶圆正面；在所述第二芯片的侧壁上形成绝缘侧墙；形成保形覆盖所述芯片正面、绝缘侧墙和晶圆正面的导电层。本发明仅通过一层导电层实现了第一芯片和第二芯片之间的电性连接，工艺较为简单。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆级 封装 方法 以及 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
