[发明专利]一种半导体存储器的器件结构及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体存储器的器件结构及其制造方法，该方法包括：于半导体衬底中形成有源区及浅沟槽隔离结构；对有源区进行两次离子植入以形成不同深度的第一、第二离子掺杂层；对有源区进行图形化刻蚀以形成第一、第二沟槽，第一沟槽、第二沟槽将有源区分为侧边源区和中间漏区；于第一、第二沟槽中形成与存储器字线一体成型的栅极组件；于上述结构上形成暴露出位于中间漏区的第一离子掺杂层的第一光刻图形；通过第一光刻图形对上述结构进行离子植入，以于中间漏区的第一离子掺杂层下方形成第三离子掺杂层，之后于中间漏区的第一离子掺杂层上表面形成引出组件。通过本发明解决了现有存储器结构的漏电问题。

主权项

1.一种半导体存储器的器件结构的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：S1：提供一半导体衬底，并于所述半导体衬底中形成复数个有源区及隔离所述有源区的浅沟槽隔离结构；S2：对所述有源区进行两次离子植入，以于所述有源区上部形成不同深度的第一离子掺杂层和第二离子掺杂层，所述第一离子掺杂层具有第一导电类型，所述第二离子掺杂层具有第二导电类型；S3：对S2所得结构的所述有源区进行图形化刻蚀，以形成凹至每一有源区的第一沟槽和第二沟槽，其中所述第一沟槽和所述第二沟槽将所述有源区分为侧边源区和中间漏区，所述侧边源区分别位于所述第一沟槽和所述第二沟槽外侧，所述中间漏区位于相邻所述第一沟槽和所述第二沟槽之间；并于所述第一沟槽和所述第二沟槽中形成栅极组件，其中所述栅极组件与存储器字线一体成型；S4：于S3所得结构的上表面形成第一光刻图形，其中所述第一光刻图形暴露出位于所述中间漏区的所述第一离子掺杂层；S5：以所述第一光刻图形为掩膜，对S4所得结构进行第三次离子植入，以于所述中间漏区的所述第一离子掺杂层下方形成第三离子掺杂层，所述第三离子掺杂层具有第一导电类型；以及S6：再以所述第一光刻图形为掩膜，于所述中间漏区的所述第一离子掺杂层上表面形成引出组件，所述引出组件包括电接触所述中间漏区的位线接触和电接触所述中间漏区的位线的一种。