[发明专利]一种N型单晶硅基太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明涉及一种N型单晶硅基太阳能电池及其制备方法，该N型单晶硅基太阳能电池的制备方法包括以下步骤：在N型单晶硅片的上下表面形成类金字塔微结构；接着在所述N型单晶硅片的上下表面分别形成多个平行排列的对应的第一矩形凹槽和第二矩形凹槽，且所述第一矩形凹槽与相应的所述第二矩形凹槽在垂直方向上部分重叠；在所述N型单晶硅片的上下表面喷涂含有三乙醇铝的溶液，然后进行退火处理，以形成氧化铝钝化层；然后在所述N型单晶硅片的上下表面沉积各非晶硅层、透明导电层以及栅电极。本发明的N型单晶硅基太阳能电池具有优异的光电转换效率。

主权项

1.一种N型单晶硅基太阳能电池的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：/n1)提供一N型单晶硅片，对所述N型单晶硅片进行双面制绒处理，在所述N型单晶硅片的上表面和下表面均形成类金字塔微结构；/n2)接着在所述N型单晶硅片的上表面形成多个平行排列的第一矩形凹槽，在所述N型单晶硅片的下表面形成多个平行排列的第二矩形凹槽，多个所述第一矩形凹槽和多个所述第二矩形凹槽分别一一对应，所述第一矩形凹槽与相应的所述第二矩形凹槽的尺寸相同，且所述第一矩形凹槽与相应的所述第二矩形凹槽在垂直方向上部分重叠；/n3)对多个所述第一矩形凹槽和多个所述第二矩形凹槽进行二次制绒处理，以在所述第一矩形凹槽和所述第二矩形凹槽各自的底面形成类金字塔微结构；/n4)接着在所述N型单晶硅片的上表面喷涂含有三乙醇铝的溶液，然后进行第一退火处理，以形成第一氧化铝钝化层；/n5)接着在所述N型单晶硅片的下表面喷涂含有三乙醇铝的溶液，然后进行第二退火处理，以形成第二氧化铝钝化层/n6)接着在所述N型单晶硅片的上表面依次沉积第一本征非晶硅层和P型非晶硅层；/n7)接着在所述N型单晶硅片的下表面依次沉积第二本征非晶硅层和N型非晶硅层；/n8)接着在所述N型单晶硅片的上表面沉积第一透明导电层；/n9)接着在所述N型单晶硅片的下表面沉积第二透明导电层；/n10)在所述第一透明导电层上沉积第一栅电极；/n11)在所述第二透明导电层上沉积第二栅电极。/n