[发明专利]太阳能电池的制造方法及太阳能电池

摘要

本发明涉及太阳能电池制造方法及太阳能电池，该太阳能电池制造方法包括以下步骤：在所述N型单晶硅片的上下表面形成多个平行排列的对应的第一条形沟槽和第二条形沟槽，多个所述第一条形沟槽与多个所述第二条形沟槽在垂直方向上均不重叠，所述第一条形沟槽与相应的所述第二条形沟槽之间单晶硅层的厚度为30‑50微米；接着在所述N型单晶硅片的上表面以及所述第一条形沟槽的底部形成硅纳米线阵列；接着形成P型硼扩散层、P型重掺杂硼扩散区以及N型重掺杂磷扩散区；接着在所述N型单晶硅片的上下表面分别形成钝化层和电极。

主权项

1.一种太阳能电池的制造方法，其特征在于：包括以下步骤：/n1)提供一N型单晶硅片，在所述N型单晶硅片的上表面形成多个平行排列的第一条形沟槽，在所述N型单晶硅片的下表面形成多个平行排列的第二条形沟槽，所述第一条形沟槽的深度与所述N型单晶硅片的厚度的比值为0.55-0.7，所述第二条形沟槽的深度与所述N型单晶硅片的厚度的比值为0.55-0.7，多个所述第一条形沟槽与多个所述第二条形沟槽在垂直方向上均不重叠，所述第一条形沟槽与相应的所述第二条形沟槽之间单晶硅层的厚度为30-50微米；/n2)接着对所述N型单晶硅片进行湿法刻蚀处理，以在所述N型单晶硅片的上表面以及所述第一条形沟槽的底部形成硅纳米线阵列；/n3)接着对所述N型单晶硅片的上表面进行第一次硼扩散工艺，以在所述N型单晶硅片的上表面、所述第一条形沟槽的侧壁以及所述第一条形沟槽的底部上形成一P型硼扩散层，接着利用掩膜对所述N型单晶硅片的上表面进行第二次硼扩散工艺，以在所述N型单晶硅片上形成多个间隔设置的P型重掺杂硼扩散区，多个所述P型重掺杂硼扩散区分别设置在相应的多个所述第一条形沟槽的底部；/n4)接着利用掩膜对所述N型单晶硅片的下表面进行第一次磷扩散工艺，以在所述N型单晶硅片的下表面形成多个间隔设置的N型重掺杂磷扩散区，多个所述N型重掺杂磷扩散区分别设置在相应的多个所述第二条形沟槽的底部；/n5)接着在所述N型单晶硅片的上表面形成第一钝化层，并在所述N型单晶硅片的下表面形成第二钝化层；/n6)接着在所述N型单晶硅片的上表面形成正面电极，并在所述N型单晶硅片的下表面形成背面电极。/n