[发明专利]一种Cdot@C3N4改性的TCO玻璃及其制备方法在审
| 申请号： | 201811027660.3 | 申请日： | 2018-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN109256327A | 公开（公告）日： | 2019-01-22 |
| 发明（设计）人： | 赵兴勇 | 申请（专利权）人： | 浙江西溪玻璃有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人： | 尉伟敏 |
| 地址： | 313200 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种Cdot@C3N4改性的TCO玻璃及其制备方法，所述TCO玻璃为以硅板为基底的AZO玻璃，碳量子点掺杂C3N4以改善电子传输性能，获得Cdot@C3N4，通过Cdot@C3N4掺杂氧化锌制备得到含有氧化锌‑Cdot@C3N4薄膜的TCO玻璃。本发明采用的技术方案提高了TCO薄膜的载流子迁移率，使其同时具备低电阻率和高透光性；有效降低了TCO玻璃制作成本；制备方法简单，实验条件温和，无毒无副作物产生，成本低廉。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 氧化锌 改性 掺杂 电子传输性能 载流子迁移率 低电阻率 高透光性 实验条件 量子点 硅板 基底 薄膜 无毒 玻璃 制作 | ||
【主权项】：
1.一种Cdot@C3N4改性的TCO玻璃，所述TCO玻璃为以硅板为基底的AZO玻璃，其特征在于，碳量子点掺杂C3N4以改善电子传输性能，获得Cdot@C3N4，通过Cdot@C3N4掺杂氧化锌制备得到含有氧化锌‑Cdot@C3N4薄膜的TCO玻璃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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