[发明专利]晶圆级封装方法及封装结构有效
| 申请号： | 201811028263.8 | 申请日： | 2018-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN110875193B | 公开（公告）日： | 2021-08-10 |
| 发明（设计）人： | 罗海龙;克里夫．德劳利 | 申请（专利权）人： | 中芯集成电路（宁波）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/56;H01L23/31;H01L23/48 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静;李丽 |
| 地址： | 315800 浙江省宁波市北*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种晶圆级封装方法及封装结构，方法包括：提供形成有第一芯片的器件晶圆，包括形成有第一芯片的第一正面及与第一正面相背的第一背面；提供承载基板，在承载基板上临时键合多个第二芯片，第二芯片包括形成有第一焊盘的第二正面以及与第二正面相背的第二背面，且第二正面朝向承载基板；在承载基板上形成覆盖第二芯片的第一封装层；去除承载基板；使第一正面和第二正面相对设置，采用低温熔融键合工艺实现器件晶圆和第二芯片的键合；在第一封装层内形成露出至少一个第二芯片的第一开口；形成背金层，覆盖第二芯片、第一开口底部和侧壁以及第一封装层。本发明提高封装成品率和使用性能。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆级 封装 方法 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
