[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质有效
申请号: | 201811028354.1 | 申请日: | 2018-09-04 |
公开(公告)号: | CN109560010B | 公开(公告)日: | 2022-12-16 |
发明(设计)人: | 林昭成 | 申请(专利权)人: | 株式会社国际电气 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 张敬强;李平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质,能够降低净化移载室的惰性气体的消耗量。在利用移载机从基板容纳器向基板支撑件搬入基板结束而关闭闸门后,直至为了将处理完毕的基板从基板支撑件搬出至基板容纳器而再次打开闸门之间的期间的至少一部分,惰性气体供给器供给惰性气体,在上述期间外,惰性气体供给器不供给惰性气体。清洁单元构成为可切换单通模式和循环模式,单通模式是将从装置外获取到的空气清洁化并供给至移载室,并且将剩余的空气排出至装置外的模式,循环模式是将移载室内的环境气体吸引并清洁化而供给至移载室的模式,在闸门打开的期间,通过作为空气的环境气体将移载室保持为正压,并使空气从移载室中向外流出。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 半导体 制造 方法 以及 存储 介质 | ||
【主权项】:
1.一种基板处理装置,其特征在于,具有:反应室,其将基板以载置于基板支撑件的状态进行处理;移载室,其与上述反应室连接,且配置从上述反应室取出的上述基板支撑件;闸门,其对为了使上述基板在上述移载室的内外移动而设于上述移载室的开口进行开闭;缓冲架,其在上述移载室的外侧以面向上述开口的方式设置,且保持基板容纳器;移载机,其在上述缓冲架的上述基板容纳器与上述基板支撑件之间搬送上述基板;清洁单元,其向上述移载室供给清洁的环境气体;惰性气体供给器,其向上述移载室供给惰性气体;以及控制部,其进行以下控制:在完成了上述移载机进行的从上述基板容纳器至上述基板支撑件的上述基板的搬入而上述闸门被关闭起,直至为了将处理完毕的上述基板从上述基板支撑件搬出至上述基板容纳器而上述闸门再次被打开之间的至少一部分期间内,上述惰性气体供给器供给上述惰性气体,在上述期间外,上述惰性气体供给器不供给上述惰性气体,而且上述清洁单元构成为能够切换单通模式和循环模式,在上述闸门打开的期间,通过作为空气的环境气体将上述移载室保持为正压,并且使空气从上述移载室中向外流出,其中,上述单通模式是将从装置外获取到的空气清洁化并供给至上述移载室,并且将剩余的空气排出至装置外的模式,上述循环模式是将上述移载室内的环境气体吸引并清洁化而供给至上述移载室的模式。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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