[发明专利]一种增强型GaN基HEMT器件的外延结构、器件及其器件的制备方法在审
| 申请号： | 201811028387.6 | 申请日： | 2018-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN110875386A | 公开（公告）日： | 2020-03-10 |
| 发明（设计）人： | 武良文 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/10;H01L21/335 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南昌高新技*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开一种增强型GaN基HEMT器件的外延结构、器件及其器件的制备方法，其中，所述复合势垒层包括第一势垒层和第二势垒层，第一势垒层厚度较薄，此厚度较薄的第一势垒层无法使沟道层在界面形成高浓度二维电子气，使HEMT器件在零栅压时源、漏之间无法导通；第二势垒层为二次选区外延生长厚度较厚的势垒层，厚度较厚的第二势垒层可使下方的沟道层在界面形成高浓度二维电子气，且第二势垒层在栅极区域断开，使沟道层界面的高浓度二维电子气在栅极区域断开，实现增强型的GaN基HEMT器件的外延结构；同时，本发明中所述第二势垒层使用选区二次外延的方法生长，避免了凹槽栅和p型栅结构中刻蚀以及F离子注入造成的晶格损伤，而导致器件可靠性差等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增强 gan hemt 器件 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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