[发明专利]制作三维重构基准的方法在审
| 申请号： | 201811028817.4 | 申请日： | 2018-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN109270104A | 公开（公告）日： | 2019-01-25 |
| 发明（设计）人： | 张玉星;杨继进;刘家龙 | 申请（专利权）人： | 中国科学院地质与地球物理研究所 |
| 主分类号： | G01N23/2251 | 分类号： | G01N23/2251 |
| 代理公司： | 北京瀚仁知识产权代理事务所(普通合伙) 11482 | 代理人： | 宋宝库;马硕 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及三维重构分析技术领域，具体涉及一种制作三维重构基准的方法。本发明旨在解决现有技术中存在的标记容易在扫描过程中被聚焦离子束轰击至模糊，甚至消失的问题。为此目的，本发明提出一种制作三维重构基准的方法，包括如下步骤：确定样品的待切割区域；根据所述待切割区域确定基准区域；在所述基准区域形成标记部分；其中，所述标记部分包括第一保护层以及形成于所述第一保护层上表面的预设标记。相较于现有直接在样品表面刻蚀预设标记，本发明的制作三维重构基准的方法通过在样品表面设置能够耐受离子束轰击的第一保护层并且在第一保护层的上表面形成预设标记以便于第一保护层保护预设标记不会因为离子束的轰击而模糊甚至消失。 | ||
| 搜索关键词： | 第一保护层 三维重构 预设 基准区域 切割区域 样品表面 制作 上表面 轰击 聚焦离子束 离子束轰击 模糊 扫描过程 离子束 刻蚀 耐受 分析 | ||
【主权项】：
1.一种制作三维重构基准的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：确定样品的待切割区域；根据所述待切割区域确定基准区域；在所述基准区域形成标记部分；其中，所述标记部分包括第一保护层以及形成于所述第一保护层上表面的预设标记。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院地质与地球物理研究所，未经中国科学院地质与地球物理研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811028817.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
