[发明专利]一种多晶硅熔丝结构的制造方法有效
| 申请号： | 201811028941.0 | 申请日： | 2016-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN109411445B | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 乐清市风杰电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 325600 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种多晶硅熔丝结构的制造方法，包括：提供一衬底，并在该衬底上表面形成浅沟槽隔离沟槽；在所述浅沟槽隔离沟槽中形成浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构的顶面高于所述衬底的上表面；在所述浅沟槽隔离结构中形成一凹槽，所述凹槽的深度、宽度和长度钧小于所述浅沟槽隔离结构；在所述浅沟槽隔离结构的上表面以及凹槽中形成一可编程熔丝，所述可编程熔丝包括两第一电极、分别连接两第一电极的两个第一垂直部分以及连接两个第一垂直部分的第一水平部分；在所述凹槽中沉积所述隔离材料形成一隔离材料层，所述隔离材料层至少覆盖所述第一水平部分。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 硅熔丝 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多晶硅熔丝结构的制造方法，包括：提供一衬底，并在该衬底上表面形成浅沟槽隔离沟槽；在所述浅沟槽隔离沟槽中形成浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构的顶面高于所述衬底的上表面；在所述浅沟槽隔离结构中形成一凹槽，所述凹槽的深度、宽度和长度均小于所述浅沟槽隔离结构；在所述浅沟槽隔离结构的上表面以及凹槽中形成一可编程熔丝，所述可编程熔丝包括两第一电极、分别连接两第一电极的两个第一垂直部分以及连接两个第一垂直部分的第一水平部分；其中，两第一电极位于所述浅沟槽隔离结构的上表面的两端，两个第一垂直部分沿着所述浅沟槽隔离结构的深度方向具有第一长度，所述第一水平部分被浅沟槽隔离结构的隔离材料覆盖，且在所述浅沟槽隔离结构中具有第一深度；在所述凹槽中沉积所述隔离材料形成一隔离材料层，所述隔离材料层至少覆盖所述第一水平部分；形成所述隔离材料层包括覆盖所述第一水平部分以及所述两个第一垂直部分的一部分，所述两第一电极的宽度大于所述第一垂直部分和所述第一水平部分的宽度。
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