[发明专利]多态等离子体晶片处理以增强离子的方向性

摘要

本发明涉及多态等离子体晶片处理以增强离子的方向性。描述了用于提供离子方向性的多态等离子体晶片处理的系统和方法。该系统和方法有三种状态。在第一状态期间，执行蚀刻操作。在第二状态期间，千赫射频信号的功率电平大于零，以增强入射在堆叠层的底表面上的离子的方向性。在第三状态期间，堆叠层顶部的掩模损耗减少并且可以进行沉积。

主权项

1.一种用于增强等离子体的离子朝向堆叠层的底部的方向性的方法，其包括：接收数字脉冲信号，其中所述数字脉冲信号具有第一状态、第二状态和第三状态；确定所述数字脉冲信号是否正从所述第三状态转变到所述第一状态；在确定所述数字脉冲信号正从所述第三状态转变到所述第一状态时，控制千赫兹(kHz)射频(RF)发生器以在所述第一状态期间产生具有功率电平的kHz RF信号；在确定所述数字脉冲信号正从所述第三状态转变到所述第一状态时，控制兆赫兹(MHz)RF发生器以在所述第一状态期间产生具有功率电平的MHz RF信号；确定所述数字脉冲信号是否正从所述第一状态转变到所述第二状态；在确定所述数字脉冲信号正从所述第一状态转变到所述第二状态时，控制所述kHz RF发生器以在所述第二状态期间产生具有功率电平的所述kHz RF信号；在确定所述数字脉冲信号正从所述第一状态转变到所述第二状态时，控制所述MHz RF发生器以在所述第二状态期间产生具有功率电平的所述MHz RF信号，其中在所述第二状态期间的所述MHz RF信号的所述功率电平低于在所述第一状态期间的所述MHz RF信号的所述功率电平；确定所述数字脉冲信号是否正从所述第二状态转变到所述第三状态；在确定所述数字脉冲信号正在从所述第二状态转变到所述第三状态时，控制所述kHz RF发生器以在所述第三状态期间产生具有功率电平的所述kHz RF信号，其中在所述第二状态期间的所述kHz RF信号的所述功率电平低于在所述第一状态期间的所述kHz RF信号的所述功率电平，并且在所述第二状态期间的所述kHz RF信号的所述功率电平大于在所述第三状态期间的所述kHz RF信号的所述功率电平，以在所述第二状态期间增强所述等离子体的所述离子朝向所述堆叠层的底部的方向性；以及在确定所述数字脉冲信号正从所述第二状态转变到所述第三状态时，控制所述MHz RF发生器以在所述第三状态期间产生具有功率电平的所述MHz RF信号。