[发明专利]一种硅芯片的烧结方法

摘要

本申请提供了一种硅芯片的烧结方法，在硅芯片的背面为硅质衬底直接原样外露且无需淀积背面金属电极的情况下，利用低烧结温度和超声波振动实现了硅芯片与金基焊片的接触面的金硅共晶的紧密结合，且同时使得金基焊片发生熔化与金属导电片实现焊接连接，从而实现了通过金基焊片将没有背面金属电极的硅芯片与金属导电片紧密地结合在一起；且本申请操作简单，生产效率高，可靠性好，适用于各种外壳、小面积芯片的烧结，实现了生产的安全、可靠和高效。

主权项

1.一种硅芯片的烧结方法，其特征在于，包括以下步骤：1)当加热平台处于恒温时，将用于封装的外壳置于充满保护气体的加热平台内进行预热以及恒温保温，烧结温度控制在360℃～380℃之间；2)将金基焊片放置到外壳中的金属导电片上；3)将硅芯片放置到所述金基焊片上，所述硅芯片的背面为硅质衬底直接原样外露且无背面金属电极；4)超声波焊接：将超声波焊接装置中的焊头压在所述硅芯片的上表面上使所述金基焊片熔化，所述硅质衬底中的硅元素与所述金基焊片中的金元素通过扩散形成金硅共晶体从而实现所述硅芯片与金属导电片的紧密结合，完成后撤掉超声波焊接装置；5)将步骤4)超声波焊接完成后的产品从所述加热平台上取下，然后按阶梯降温原则降温至室温，至此烧结过程完成。