[发明专利]一种真空管路防护系统及方法在审
申请号: | 201811031683.1 | 申请日: | 2018-09-05 |
公开(公告)号: | CN110880459A | 公开(公告)日: | 2020-03-13 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种真空管路防护系统及方法,该防护系统包括,反应腔体,以及与反应腔体配套的主泵,前级泵和真空管路;反应腔体与主泵密封连接,反应腔体中容置有第一气体;主泵通过真空管路与前级泵相连接;其中,在真空管路的管壁上设置有一第一注入点,第二气体经第一注入点注入到真空管路中,用于将从反应腔体中抽到真空管路中第一气体浓度稀释至其爆炸下限以下。利用本发明,能更准确、可控的调节以及监控真空管路中第一气体浓度,当第二气体的供气异常时,控制机台停机,确保真空管路中的第一气体的浓度一直低于其爆炸下限,不仅避免真空管路发生爆炸的风险,确保人员及机台的安全,而且可以省去安装防爆毯的费用,节约成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 真空 管路 防护 系统 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造