[发明专利]一种气流流量计、MEMS硅基温敏芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 201811032191.4 | 申请日： | 2018-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN109211342B | 公开（公告）日： | 2020-03-20 |
| 发明（设计）人： | 熊友辉;黄成军;李丽;郭楠 | 申请（专利权）人： | 四方光电股份有限公司;中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G01F1/69 | 分类号： | G01F1/69;G01K7/22 |
| 代理公司： | 武汉知产时代知识产权代理有限公司 42238 | 代理人： | 郝明琴 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种MEMS硅基温敏芯片，包括基底、阻热支撑层、温漂校准温敏电阻和气流感应温敏电阻，基底包括实体部分和第一通孔，第一通孔位于实体部分的中部，阻热支撑层连接在基底和气流感应温敏电阻之间，阻热支撑层位于基底的上方，位于实体部分的上方的阻热支撑层上开设有凹槽，温漂校准温敏电阻包括第一压焊图形和若干条温漂校准温敏电阻丝，第一压焊图形位于阻热支撑层的凹槽内，温漂校准温敏电阻丝设置在阻热支撑层的内部，并位于基底的实体部分的上方，气流感应温敏电阻包括第二压焊图形和若干条气流感应温敏电阻丝，第二压焊图形连接在阻热支撑层上，并位于实体部分的上方，气流感应温敏电阻丝连接在阻热支撑层上，并位于第一通孔的上方。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 气流 流量计 mems 硅基温敏 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种MEMS硅基温敏芯片，其特征在于，包括基底、阻热支撑层、温漂校准温敏电阻和气流感应温敏电阻，所述基底包括实体部分和第一通孔，所述第一通孔位于实体部分的中部，所述阻热支撑层连接在基底和气流感应温敏电阻之间，所述阻热支撑层位于基底的上方，位于基底的实体部分的上方的阻热支撑层上开设有凹槽，所述温漂校准温敏电阻包括用于压焊的第一压焊图形和若干条温漂校准温敏电阻丝，所述第一压焊图形和温漂校准温敏电阻丝串联，所述第一压焊图形位于阻热支撑层的凹槽内，所述温漂校准温敏电阻丝设置在阻热支撑层的内部，并位于基底的实体部分的上方，所述气流感应温敏电阻包括用于压焊的第二压焊图形和若干条气流感应温敏电阻丝，所述第二压焊图形和气流感应温敏电阻丝串联，所述第二压焊图形连接在阻热支撑层上，并位于基底的实体部分的上方，所述气流感应温敏电阻丝连接在阻热支撑层上，并位于基底的第一通孔的上方。
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