[发明专利]发光元件的制造方法及其装置有效
申请号: | 201811033827.7 | 申请日: | 2018-09-05 |
公开(公告)号: | CN109427600B | 公开(公告)日: | 2023-09-15 |
发明(设计)人: | 陈政欣;陳慧修;魏丽真 | 申请(专利权)人: | 创王光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H10K50/11;H10K59/122 |
代理公司: | 北京天驰君泰律师事务所 11592 | 代理人: | 孟锐 |
地址: | 中国台湾新竹县30*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本揭露是关于一种发光元件的制造方法,包含提供一基板;形成复数光敏凸块于该基板上;形成一光敏层于该复数光敏凸块上;形成一缓冲层于该光敏层及该复数光敏凸块之间;图案化该光敏层以形成通过该光敏层的一凹槽以暴露一表面;设置一有机发射层于该表面上,形成一含金属层于该有机发射层上方;以及移除该经图案化的光敏层。 | ||
搜索关键词: | 发光 元件 制造 方法 及其 装置 | ||
【主权项】:
1.一种发光元件的制造方法,包含:提供一基板;形成复数光敏凸块于该基板上;形成一光敏层于该复数光敏凸块上;形成一缓冲层于该光敏层及该复数光敏凸块之间;图案化该光敏层以形成通过该光敏层的一凹槽以暴露一表面;设置一有机发射层于该表面上,形成一含金属层于该有机发射层上方;以及移除该经图案化的光敏层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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