[发明专利]一种新型基片集成波导功率分配/合成器在审

专利信息
申请号: 201811035955.5 申请日: 2018-09-06
公开(公告)号: CN108767409A 公开(公告)日: 2018-11-06
发明(设计)人: 黄永茂;丁帅;倪飘 申请(专利权)人: 成都邑电信息技术服务有限公司
主分类号: H01P5/16 分类号: H01P5/16
代理公司: 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 代理人: 邹敏菲
地址: 610000 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种新型基片集成波导功率分配/合成器,属于微波器件领域;其包括单层基片、设置在单层基片的梯形微带‑基片集成波导过渡结构和输入输出端口,单层基片还设置有五端口窄壁短缝耦合单元和集总电阻加载型匹配负载,五端口窄壁短缝耦合单元两端均依次连接梯形微带‑基片集成波导过渡结构和输入输出端口,五端口窄壁短缝耦合单元一端连接集总电阻加载型匹配负载;通过增加两个隔离端口,实现五个端口的全匹配和两个分端口的高隔离度,通过隔离端口处接入集总电阻加载型匹配负载,实现宽带化,解决了现有传统波导型功分器和基片集成波导功分器不能同时兼顾宽带化和高隔离度的问题,达到了在保证隔离度的同时扩展带宽的效果。
搜索关键词: 基片集成波导 集总电阻 匹配负载 耦合单元 单层 短缝 加载 窄壁 功率分配/合成器 输入输出端口 高隔离度 隔离端口 过渡结构 功分器 宽带化 微带 微波器件 一端连接 依次连接 波导型 隔离度 匹配 带宽 保证
【主权项】:
1.一种新型基片集成波导功率分配/合成器,包括单层基片(1)、设置在单层基片(1)的梯形微带‑基片集成波导过渡结构(3)和输入输出端口,其特征在于:所述单层基片(1)还设置有五端口窄壁短缝耦合单元(2)和集总电阻加载型匹配负载(4),所述五端口窄壁短缝耦合单元(2)两端均依次连接梯形微带‑基片集成波导过渡结构(3)和输入输出端口,所述五端口窄壁短缝耦合单元(2)一端连接集总电阻加载型匹配负载(4)。
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