[发明专利]半导体结构在审
| 申请号： | 201811036916.7 | 申请日： | 2018-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN109768086A | 公开（公告）日： | 2019-05-17 |
| 发明（设计）人： | 游佳达;王圣祯;杨丰诚;陈燕铭;杨世海 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳;谢强 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是半导体结构。鳍状场效晶体管装置的外延结构包括基板、具有两个鳍状物的鳍状结构、沿着鳍状物的侧壁形成的内侧鳍状物间隔物与外侧鳍状物间隔物、以及形成于鳍状物周围的隔离区。鳍状场效晶体管装置亦包含栅极结构形成于鳍状结构上，以及外延结构形成于源极/漏极区中的鳍状结构上。外延结构的形成方法为合并鳍状物与至少一外延半导体层，并包括气隙。气隙的体积取决于内侧鳍状物间隔物的高度与分隔距离。 | ||
| 搜索关键词： | 鳍状物 外延结构 鳍状结构 间隔物 鳍状场效晶体管 半导体结构 气隙 外延半导体层 源极/漏极区 分隔距离 栅极结构 隔离区 侧壁 基板 合并 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：一鳍状结构，具有一第一鳍状物与一第二鳍状物形成于一半导体基板上；多个内侧鳍状物间隔物，沿着该第一鳍状物与该第二鳍状物的内侧侧壁形成，其中所述内侧鳍状物间隔物具有高度Hi；多个外侧鳍状物间隔物，沿着该第一鳍状物与该第二鳍状物的外侧侧壁形成，其中所述外侧鳍状物间隔物具有高度Ho，且高度Ho实质上小于高度Hi；以及一外延结构，形成于该第一鳍状物与该第二鳍状物上，其中该外延结构封闭所述内侧间隔物所形成的一气隙，且该气隙具有至少一宽度，其中宽度为所述内侧鳍状物间隔物的相对侧壁之间分隔的分隔距离。
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