[发明专利]主要由氮化物半导体材料制成的半导体器件及其形成工艺在审
| 申请号： | 201811037953.X | 申请日： | 2018-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN109461773A | 公开（公告）日： | 2019-03-12 |
| 发明（设计）人： | 菅原健太;井上和孝 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/47;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张苏娜;樊晓焕 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种主要由氮化物半导体材料制成的半导体器件。该半导体器件包括衬底；衬底上的半导体堆叠体；各自设置在半导体堆叠体上的栅极、源极和漏极，其中栅极包含镍(Ni)；覆盖半导体堆叠体的表面的Si化合物；覆盖从Si化合物中露出的栅极的氧化铝(Al2O3)膜；和覆盖Al2O3膜和从Al2O3膜中露出的Si化合物的另一Si化合物。本发明的半导体器件的特征在于：Al2O3膜至少在栅极和漏极之间露出Si化合物。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 半导体堆叠体 氮化物半导体材料 衬底 漏极 覆盖 氧化铝 源极 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，主要由氮化物半导体材料制成，该半导体器件包括：衬底；设置在所述衬底上的半导体堆叠体，该半导体堆叠体包括氮化物半导体层；各自设置在所述半导体堆叠体上的栅极、源极和漏极，所述源级和所述漏极将所述栅极夹在之间，所述栅极包含镍(Ni)；Si化合物，其覆盖所述栅极和所述漏极之间以及所述栅极和所述源级之间的所述半导体堆叠体的表面，所述Si化合物包含硅(Si)原子；氧化铝(Al2O3)膜，其覆盖从所述Si化合物中露出的所述栅极；和另一Si化合物，其覆盖所述Al2O3膜和从所述Al2O3膜中露出的所述Si化合物，所述另一Si化合物含有Si原子，其中所述Al2O3膜至少在所述栅极和所述漏极之间露出所述Si化合物的表面。
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