[发明专利]一种固态硬盘页级闪存转换层设计方法有效
| 申请号： | 201811038059.4 | 申请日： | 2018-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN109446117B | 公开（公告）日： | 2023-02-28 |
| 发明（设计）人： | 姚英彪;颜明博;周杰;冯维;许晓荣;刘兆霆 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | G06F12/123 | 分类号： | G06F12/123 |
| 代理公司： | 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人： | 朱月芬 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种固态硬盘页级闪存转换层设计方法。本发明将NAND闪存划分为两个部分：数据块区域和翻译块区域，数据块区域用于储存常规用户数据，翻译块区域只储存映射信息，且整个闪存采用基于页的映射。RAM被分为W‑CMT、R‑CMT、GTD三个部分：W‑CMT用于储存高访问频次的写数据映射信息；R‑CMT用于储存高访问频次的读数据映射信息、GTD用于记录映射块中的地址映射项。本发明实现高灵活性的页级映射的同时，极大程度上减少由于数据更新导致的翻译页频繁更新，进而提升整体系统性能，延长固态硬盘使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 固态 硬盘 闪存 转换 设计 方法 | ||
【主权项】：
1.一种固态硬盘页级闪存转换层设计方法，其特征在于：将NAND闪存划分为两个部分：数据块区域和翻译块区域，数据块区域用于储存常规用户数据，翻译块区域只储存映射信息，且整个闪存采用基于页的映射；RAM被分为W‑CMT、R‑CMT、GTD三个部分：W‑CMT用于储存高访问频次的写数据映射信息；R‑CMT用于储存高访问频次的读数据映射信息、GTD用于记录映射块中的地址映射项。
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