[发明专利]一种异质结器件模型的构建方法在审
| 申请号： | 201811039157.X | 申请日： | 2018-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN109346131A | 公开（公告）日： | 2019-02-15 |
| 发明（设计）人： | 陆赟豪;郑毅;华陈强 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | G16C10/00 | 分类号： | G16C10/00 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310013 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种异质结器件模型的构建方法，包括：选取碱金属M与硫族元素X构建反过渡金属硫族化物M2X，碱金属M与硫族化合物X形成M‑X‑M三明治结构，再进行结构优化；选取步骤(1)优化后的M2X结构，计算电子结构、电子迁移率、光吸收系数、价带顶与导带底的能级位置；选取M′X′2，M′选自主族元素或过渡金属，X′选自主族元素，形成X′‑M′‑X′三明治结构，进行结构优化，并计算价带顶与导带低的能级位置与能隙；将M2X与M′X′2进行扩胞堆叠形成异质结器件模型。通过本发明提供的构建方法构建的异质结器件模型具有良好的光电子、空穴分离能力，为开发和制备高迁移率的电子器件与光电器件提供了研究方向。 | ||
| 搜索关键词： | 构建 异质结器件 碱金属 三明治结构 过渡金属 结构优化 能级位置 族元素 导带 价带 空穴 电子迁移率 光吸收系数 硫族化合物 电子结构 电子器件 分离能力 高迁移率 光电器件 硫族化物 硫族元素 研究方向 光电子 堆叠 能隙 制备 优化 开发 | ||
【主权项】：
1.一种异质结器件模型的构建方法，包括以下步骤：(1)选取碱金属M与硫族元素X构建反过渡金属硫族化物M2X，碱金属M与硫族化合物X形成M‑X‑M三明治结构，再进行结构优化；(2)选取步骤(1)优化后的M2X结构，计算电子结构、电子迁移率、光吸收系数、价带顶与导带底的能级位置；(3)选取M′X′2，M′选自主族元素或过渡金属，X′选自主族元素，形成X′‑M′‑X′三明治结构，进行结构优化，并计算价带顶与导带低的能级位置与能隙；(4)将步骤(1)中的M2X与步骤(3)中的M′X′2进行扩胞堆叠形成异质结器件模型。
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