[发明专利]一种悬臂型端面耦合器有效

专利信息
申请号: 201811039165.4 申请日: 2018-09-06
公开(公告)号: CN109031518B 公开(公告)日: 2020-01-03
发明(设计)人: 陈昌华;柏艳飞;仇超;甘甫烷 申请(专利权)人: 南通赛勒光电科技有限公司
主分类号: G02B6/10 分类号: G02B6/10;G02B6/12
代理公司: 31272 上海申新律师事务所 代理人: 俞涤炯
地址: 226000 江苏省南通市苏通*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开一种悬臂型端面耦合器,包括:硅衬底,于硅衬底上刻蚀具有第一预设高度的沟槽;埋氧层,形成于硅衬底的上表面;埋氧层包括:平板层,平板层形成于硅衬底的上表面;脊型层,脊型层形成于平板层的上表面,并水平延伸出平板层;硅波导,硅波导形成于埋氧层中,位于脊型层的上方;氮化硅波导,氮化硅波导形成于埋氧层中,位于硅波导的上方。有益效果:采用脊型埋氧层,实现与单模光纤光场模斑匹配的端面耦合器,平板层作为该悬臂型端面耦合器的支撑结构,保证机械稳固性,可以充当折射率匹配液的功能,降低该悬臂型端面耦合器对折射率匹配液的依赖性,氮化硅波导作为中间过渡层,使得单模光纤的光场能够以较高的耦合效率进入硅波导中。
搜索关键词: 端面耦合 埋氧层 平板层 硅波导 硅衬底 脊型 悬臂 氮化硅 上表面 折射率匹配液 波导 单模光纤光 中间过渡层 波导形成 单模光纤 支撑结构 耦合效率 稳固性 光场 刻蚀 模斑 预设 匹配 保证
【主权项】:
1.一种悬臂型端面耦合器,其特征在于,包括:/n一硅衬底,于所述硅衬底上刻蚀一具有第一预设高度的沟槽;/n一埋氧层,形成于所述硅衬底的上表面;所述埋氧层包括:/n一平板层,所述平板层形成于所述硅衬底的上表面;/n一脊型层,所述脊型层形成于所述平板层的上表面,并水平延伸出所述平板层;/n一硅波导,所述硅波导形成于所述埋氧层中,位于所述脊型层的上方;/n一氮化硅波导,所述氮化硅波导形成于所述埋氧层中,位于所述硅波导的上方。/n
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