[发明专利]具有高比表面积的超薄ZnO纳米片阵列的制备方法

摘要

具有高比表面积的超薄ZnO纳米片阵列的制备方法，本发明属于光电半导体材料领域，它为了解决现有二维纳米片阵列结构的比表面积较低的问题。制备方法：一、用回流法制备浓度为0.1～0.5mol/L的醋酸锌‑乙醇种子液；二、在清洗后的导电基底上均匀涂敷醋酸锌‑乙醇种子液多次，空气气氛下以400～450℃的温度煅烧20～40分钟，得到带有ZnO种子层的导电基底；三、带有ZnO种子层的导电基底浸入到反应液中，其中反应液为含有锌源、HMT、氟化物和柠檬酸钠的混合水溶液；四、烧结处理。通过本发明的制备方法得到的超薄纳米片阵列的比表面积高达90.7m²/g，具有类石墨烯结构，同时兼具快速的电子传输性质。

主权项

1.具有高比表面积的超薄ZnO纳米片阵列的制备方法，其特征在于该方法是按下列步骤实施：一、制备种子层溶液：将醋酸锌加入到无水乙醇中，采用回流法制备浓度为0.1～0.5mol/L的醋酸锌‑乙醇种子液；二、导电基底上制备ZnO种子层：在清洗后的导电基底上均匀涂敷醋酸锌‑乙醇种子液多次，烘干后置于马弗炉中，空气气氛下以400～450℃的温度煅烧20～40分钟，得到带有ZnO种子层的导电基底；三、超薄Zn(OH)F纳米片的制备：将步骤二得到的带有ZnO种子层的导电基底浸入到温度为80～92℃的反应液中反应3～6小时，清洗干燥后得到带有超薄Zn(OH)F纳米片的导电基底；四、煅烧：在400℃～500℃下对步骤三得到的带有超薄Zn(OH)F纳米片的导电基底进行烧结处理，得到具有高比表面积的超薄ZnO纳米片阵列的导电基底；步骤三中所述的反应液为含有锌源、HMT、氟化物和柠檬酸钠的混合水溶液，所述的氟化物为四丁基氟化铵或氟化铵；反应液中锌源的浓度为0.01～0.05mol/L，HMT的浓度为0.01～0.05mol/L，氟化物的浓度为0.03～0.0475mol/L。