[发明专利]半导体存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201811040526.7 | 申请日： | 2018-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN109494227B | 公开（公告）日： | 2023-08-11 |
| 发明（设计）人： | 金成吉;李相受;金智美;金泓奭;卢镇台;崔至薰;安宰永;李商勋 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10B41/27 | 分类号： | H10B41/27 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 潘军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体存储器件，具有：多个栅极，竖直地堆叠在衬底的顶表面上；竖直沟道，填充竖直延伸穿过多个栅极的竖直孔；以及存储层，在竖直孔中并围绕竖直沟道。竖直沟道包括填充衬底顶部中的凹陷部的部分的支架形下部和沿竖直孔竖直延伸并连接到下沟道的上部。竖直沟道的下部和上部之间的界面的至少一端被设置在不高于衬底的顶表面的高度处。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器件，包括：衬底，具有顶表面和位于所述衬底中的凹陷部，所述凹陷部限定顶表面中的开口；多个栅极，竖直地堆叠在所述衬底的顶表面上；竖直沟道，占据竖直延伸穿过所述多个栅极的竖直孔；以及存储层，在所述竖直孔中并围绕所述竖直沟道，其中所述竖直沟道包括：下沟道，占据所述凹陷部的一部分，所述下沟道的竖直横截面呈面向上的支架形式；以及上沟道，沿所述竖直孔竖直延伸并且连接到所述下沟道，并且其中所述下沟道和所述上沟道构成连接结构，所述连接结构具有界面，所述下沟道和所述上沟道沿着所述界面交会，并且穿过所述界面建立所述下沟道和所述上沟道之间的导电路径，所述界面不高于所述衬底的顶表面。
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