[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201811041770.5 | 申请日： | 2018-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN109473473A | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 郑元根;金宰中;张镇圭;金相溶;罗勋奏;李东洙;玄尚镇 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王新华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括：多个第一半导体图案，垂直堆叠在衬底上并彼此垂直间隔开；以及第一栅电极，围绕所述多个第一半导体图案。第一栅电极包括：第一功函数金属图案，在所述多个第一半导体图案中的各个第一半导体图案的顶表面、底表面和侧壁上；阻挡图案，在第一功函数金属图案上；以及第一电极图案，在阻挡图案上。第一栅电极具有在所述多个第一半导体图案中的相邻的第一半导体图案之间以及在所述多个第一半导体图案中的最下面的第一半导体图案与所述衬底之间的第一部分。阻挡图案包括包含硅的金属氮化物层。阻挡图案和第一电极图案与第一部分间隔开。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体图案 阻挡图案 半导体器件 栅电极 图案 功函数金属 第一电极 衬底 金属氮化物层 垂直堆叠 垂直间隔 顶表面 侧壁 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：多个第一半导体图案，垂直堆叠在衬底上并彼此垂直间隔开；和第一栅电极，在所述多个第一半导体图案上，所述第一栅电极包括：第一功函数金属图案，在所述多个第一半导体图案中的各个第一半导体图案的顶表面、底表面和侧壁上；阻挡图案，在所述第一功函数金属图案上；和第一电极图案，在所述阻挡图案上，其中所述第一栅电极具有在所述多个第一半导体图案中的相邻的第一半导体图案之间的第一部分，其中所述阻挡图案包括包含硅的第一金属氮化物层，并且其中所述阻挡图案和所述第一电极图案与所述第一部分间隔开。
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