[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201811042994.8 | 申请日： | 2018-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN110890414B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 李家豪;马洛宜·库马;洪章响;廖志成 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/335;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王涛;任默闻 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体装置及其制造方法，该装置包括第一氮化镓层设置于半导体衬底上，以及氮化铝镓层设置于第一氮化镓层上。半导体装置也包含上凹陷和下凹陷设置于氮化铝镓层内，其中上凹陷邻接下凹陷，且上凹陷具有大于下凹陷的宽度。半导体装置更包含第二氮化镓层设置于上凹陷和下凹陷内，以及栅极结构设置于第二氮化镓层上。此外，半导体装置包含源极电极和漏极电极设置于氮化铝镓层上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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