[发明专利]集成电路芯片及熔断器的检测方法在审
| 申请号： | 201811043568.6 | 申请日： | 2018-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN110890343A | 公开（公告）日： | 2020-03-17 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 袁礼君;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开是关于一种集成电路芯片及熔断器的检测方法，包括衬底、多层导电层、熔断器、介电层和闩锁电路；其中，相邻的导电层之间设置有介电层，所述衬底和与其相邻的导电层之间设置有介电层，所述介电层上设置有接触孔；熔断器位于第一介电层上的接触孔中，所述第一介电层为多层所述介电层中的任一层介电层；闩锁电路设置在所述衬底上，和所述熔断器连接。在集成电路芯片测试时，触发闩锁效应，使得闩锁电路中的电流不断增大，直至烧断熔断器，实现了对熔断器测试时的熔断。并且在测试多个熔断器时，只需顺序触发每个熔断器的闩锁电路即可，提升了测试效率，节约了测试时间。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 芯片 熔断器 检测 方法 | ||
【主权项】：
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