[发明专利]一种TOPCon结构电池的制备方法在审
| 申请号： | 201811043903.2 | 申请日： | 2018-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN109148647A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 瞿辉;徐春;梅静静 | 申请（专利权）人： | 江苏顺风光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/068 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 朱晓凯 |
| 地址： | 213164 江苏省常州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种TOPCon结构电池的制备方法，包括如下步骤：①清洗、制绒；②硼扩制备pn结，并进行高温处理；③高温处理后控制温度至850‑900℃，通入氧气在硅片表面生长一层BSG层，其厚度大于等于50nm；④以硼扩层为正面，对背面进行单面酸清洗刻蚀；⑤制备隧穿氧化层和掺杂薄膜硅层；⑥对正面进行单面碱清洗，去除正面因绕镀产生的多余的多晶硅层；⑦去BSG/PSG；⑧双面钝化；⑨丝印烧结。本发明的生产工艺不需要单独增加制备掩膜的工序，就能做到去除绕镀，简化了工序，提高了产品性能。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 高温处理 结构电池 去除 掺杂薄膜硅层 隧穿氧化层 产品性能 多晶硅层 硅片表面 双面钝化 烧结 碱清洗 酸清洗 刻蚀 丝印 掩膜 制绒 生产工艺 氧气 背面 清洗 生长 | ||
【主权项】：
1.一种TOPCon结构电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：①清洗、制绒；②硼扩制备pn结，并进行高温处理；③高温处理后控制温度至850‑900℃，通入氧气在硅片表面生长一层BSG层，其厚度大于等于50nm；④以硼扩层为正面，对背面进行单面酸清洗刻蚀；⑤制备隧穿氧化层和掺杂薄膜硅层；⑥对正面进行单面碱清洗，去除正面因绕镀产生的多余的多晶硅层；⑦去BSG/PSG；⑧双面钝化；⑨丝印烧结。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏顺风光电科技有限公司，未经江苏顺风光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811043903.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
