[发明专利]具有介电隔离的多鳍高度有效
| 申请号： | 201811044898.7 | 申请日： | 2018-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN109473478B | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | 吴旭升;亓屹;彭建伟;罗先庆;顾四朋 | 申请（专利权）人： | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及具有介电隔离的多鳍高度，揭示一种形成有不同鳍高度且与底下半导体衬底介电隔离的半导体鳍片的方法。通过蚀刻设置于衬底上面的活性外延层可形成所述鳍片。中介牺牲外延层可用来模塑活性外延层的成长，然后移除它且用隔离介电层回填。该隔离介电层可设置在所述鳍片的底面与衬底之间，而且例如可在用来界定所述鳍片的蚀刻工艺之后沉积。在衬底的不同区域内，有不同高度的介电隔离鳍片可具有实质共面的顶面。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 隔离 高度 | ||
【主权项】：
1.一种形成结构的方法，其包含：沉积一第一外延层于一半导体衬底上；沉积一第二外延层于该第一外延层上；形成穿过该第二外延层及该第一外延层的数个开口，其中，所述开口伸入该半导体衬底；在所述开口内沉积一介电层；在该介电层的上侧壁表面上面形成一侧壁间隔体层；使用该侧壁间隔体层作为一蚀刻掩模来蚀刻该第二外延层以形成各自设置于该介电层的一侧壁表面上面的数个半导体鳍片；从所述鳍片下面移除该第一外延层；以及沉积在所述鳍片下面的一隔离层。
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