[发明专利]窄垂直远场发散角的隧道结光子晶体激光器有效
| 申请号： | 201811048055.4 | 申请日： | 2018-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN109038219B | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 郑婉华;周旭彦;齐爱谊;陈忠浩 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/20 | 分类号： | H01S5/20;H01S5/22;H01S5/32;H01S5/343 |
| 代理公司： | 11021 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李佳 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种隧道结光子晶体激光器，包括：衬底；以及在所述衬底上依次形成的多个叠层结构；其中，每个所述叠层结构包括有源层以及光子晶体层，且在相邻的所述叠层结构之间形成有隧道结。本公开隧道结光子晶体激光器，提高了峰值功率，增加了激光的探测距离，实现了高峰功率窄垂直远场发散角的激光输出，在激光测距、激光成像、激光雷达等领域中具有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 隧道结 光子晶体激光器 叠层结构 远场发散角 衬底 激光 垂直 光子晶体层 峰值功率 高峰功率 激光测距 激光成像 激光雷达 探测距离 源层 输出 应用 | ||
【主权项】：
1.一种隧道结光子晶体激光器，包括：/n衬底；以及/n在所述衬底上依次形成的多个叠层结构；/n其中，每个所述叠层结构包括有源层以及光子晶体层，且在相邻的所述叠层结构之间形成有隧道结；/n所述衬底为N型衬底；所述叠层结构包括：N型限制层，形成于所述N型限制层之上的所述光子晶体层，形成于所述光子晶体层之上的N侧波导层，形成于所述N侧波导层上的所述有源层，形成于所述有源层之上的P侧波导层，形成于所述P侧波导层上的光子晶体层，以及形成于所述光子晶体层上的P型限制层；/n所述的隧道结光子晶体激光器，包括三个所述叠层结构，分别为第一叠层结构、形成于所述衬底上，第二叠层结构、形成于所述第一叠层结构上，以及第三叠层结构，形成于所述第二叠层结构上；其中，在所述第一叠层结构和第二叠层结构之间形成有第一隧道结，在所述第二叠层结构和第三叠层结构之间形成有第二隧道结；/n所述第一叠层结构的N型限制层形成于所述N型衬底上，所述第一隧道结形成于所述第一叠层结构的所述P型限制层上，所述第二叠层结构的所述N型限制层形成于所述第一隧道结上，所述第二隧道结形成于所述第二叠层结构的所述P型限制层上，所述第三叠层结构的所述N型限制层形成于所述第二隧道结上。/n
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