[发明专利]一种超高放电储能密度的介质薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201811050219.7 | 申请日： | 2018-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN108929111B | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 刘韩星;谢鹃;尧中华;郝华;曹明贺;谢颜江 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | C04B35/475 | 分类号： | C04B35/475;C04B35/622;C04B35/624;H01G4/12 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 张秋燕 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： |
本发明提供一种超高放电储能密度的介质薄膜及其制备方法：其化学式为BiMg |
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| 搜索关键词： | 一种 超高 放电 密度 介质 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种超高放电储能密度的介质薄膜，其特征在于它的化学式为BiMg0.5TixO3，其中x=0.50~0.85，其在室温下的耐电压强度在900‑5000 kV/cm范围内，有效放电储能密度在26‑125.7J/cm3范围内。
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