[发明专利]利用二甲亚砜插层和分层的Ti3C2原位合成TiO2@Ti3C2的方法及产物在审
| 申请号： | 201811050220.X | 申请日： | 2018-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN109261180A | 公开（公告）日： | 2019-01-25 |
| 发明（设计）人： | 林道辉;柯涛 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | B01J27/22 | 分类号： | B01J27/22 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 陈华 |
| 地址： | 310013 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种利用二甲亚砜插层和分层的Ti3C2原位合成TiO2@Ti3C2的方法及产物，合成方法包括：1)将Ti3AlC2‑MAX相陶瓷粉末分散在HF溶液中进行刻蚀，得到Mxene‑Ti3C2；2)将Mxene‑Ti3C2分散在二甲亚砜中进行二甲亚砜插层，得到二甲亚砜插层的Ti3C2；3)将二甲亚砜插层的Ti3C2分散在水中，在氩气气氛下超声处理，干燥后得到二甲亚砜插层和分层的Ti3C2；4)二甲亚砜插层和分层的Ti3C2在氧气条件下进行原位氧化，即得TiO2@Ti3C2。该方法利用二甲亚砜和超声处理提高了Mxene‑Ti3C2的层间距，为生成的TiO2提供了更多的附着位点，更有利于对污染物的催化降解。 | ||
| 搜索关键词： | 二甲亚砜 插层 分层 超声处理 原位合成 催化降解 附着位点 陶瓷粉末 氧气条件 原位氧化 氩气气氛 层间距 刻蚀 水中 污染物 合成 | ||
【主权项】：
1.一种利用二甲亚砜插层和分层的Ti3C2原位合成TiO2@Ti3C2的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)将Ti3AlC2‑MAX相陶瓷粉末分散在HF溶液中进行刻蚀，得到Mxene‑Ti3C2；2)将Mxene‑Ti3C2分散在二甲亚砜中进行二甲亚砜插层，得到二甲亚砜插层的Ti3C2；3)将二甲亚砜插层的Ti3C2分散在水中，在氩气气氛下超声处理，干燥后得到二甲亚砜插层和分层的Ti3C2；4)二甲亚砜插层和分层的Ti3C2在氧气条件下进行原位氧化，即得TiO2@Ti3C2。
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