[发明专利]一种发光二极管外延片的制备方法及发光二极管外延片有效
| 申请号： | 201811050948.2 | 申请日： | 2018-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN109449261B | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 郭炳磊;王群;葛永晖;吕蒙普;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/12;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片的制备方法及发光二极管外延片，属于半导体技术领域。所述制备方法包括：提供一衬底；采用MOCVD技术在所述衬底上生长第一N型半导体层；采用HVPE技术在所述第一N型半导体层上生长第二N型半导体层；采用MOCVD技术在所述第二N型半导体层上生长有源层；采用MOCVD技术在所述有源层上生长P型半导体层。本发明通过在采用MOCVD技术生长的第一N型半导体层和有源层之间插入采用HVPE技术生长的第二N型半导体层，不会掺杂在生成的N型半导体层中形成杂质，因此第二N型半导体层中N型掺杂剂的分布比较均匀，有利于电子均匀注入有源层，改善整个外延片光学和电学性质的均匀性和一致性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供一衬底；采用MOCVD技术在所述衬底上生长第一N型半导体层；采用HVPE技术在所述第一N型半导体层上生长第二N型半导体层；采用MOCVD技术在所述第二N型半导体层上生长有源层；采用MOCVD技术在所述有源层上生长P型半导体层。
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