[发明专利]利用水合肼插层和分层的Ti3 有效
| 申请号： | 201811050963.7 | 申请日： | 2018-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN109225290B | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 林道辉;柯涛 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | B01J27/22 | 分类号： | B01J27/22 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 陈华 |
| 地址： | 310013 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种利用水合肼插层和分层的Ti |
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| 搜索关键词： | 利用 水合 肼插层 分层 ti base sub | ||
【主权项】：
1.一种利用水合肼插层和分层的Ti3C2原位合成TiO2@Ti3C2的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)将Ti3AlC2‑MAX相陶瓷粉末分散在HF溶液中进行刻蚀，得到Mxene‑Ti3C2；2)将Mxene‑Ti3C2分散在水合肼中进行水合肼插层，得到水合肼插层的Ti3C2；3)水合肼插层的Ti3C2分散在水中，在氩气气氛下超声处理，干燥后得到水合肼插层和分层的Ti3C2；4)水合肼插层和分层的Ti3C2在氧气条件下进行原位氧化，即得TiO2@Ti3C2。
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