[发明专利]半导体方块电阻的测试方法及测试电路有效
| 申请号： | 201811051617.0 | 申请日： | 2018-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN109444551B | 公开（公告）日： | 2020-09-15 |
| 发明（设计）人： | 王耀华;金锐;赵哿;和峰;刘钺杨;曾军;蒲奎;杜文芳;潘艳;吴军民 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司 |
| 主分类号： | G01R27/14 | 分类号： | G01R27/14 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 李钦晓 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体方块电阻的方法及电路，方法包括：在待测掺杂区域内形成至少一个第一掺杂区域，第一掺杂区域为第二导电类型，第二导电类型与第一导电类型相反；并在第一掺杂区域内形成第二掺杂区域，第二掺杂区域为第一导电类型；在半导体基板表面上设置至少两个激励电极，其中至少一个激励电极与第二掺杂区域对应；在半导体基板表面上依次设置至少一个隔离层和与之分别对应的控制电极，隔离层和控制电极从一个第一掺杂区域的边缘延伸至内部第二掺杂区域的边缘；通过两个激励电极施加激励电流、测试位于两个激励电极之间的待测掺杂区域之间的电压，获得待掺杂区域的方块电阻值。用以上方法进行方块电阻测试，能够测得较准确的方块电阻值。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 方块 电阻 测试 方法 电路 | ||
【主权项】：
1.一种半导体方块电阻的测试方法，待测掺杂区域位于半导体基板内，且为第一导电类型；其特征在于，所述方法包括：在所述待测掺杂区域内形成至少一个第一掺杂区域，所述第一掺杂区域为第二导电类型，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；并在所述第一掺杂区域内形成第二掺杂区域，所述第二掺杂区域为第一导电类型；在所述半导体基板表面上设置至少两个激励电极，其中至少一个所述激励电极与所述第二掺杂区域对应；在所述半导体基板表面上依次设置至少一个隔离层和与之分别对应的控制电极，所述隔离层和所述控制电极从一个所述第一掺杂区域的边缘延伸至内部所述第二掺杂区域的边缘；通过两个激励电极施加激励电流，并测试位于两个激励电极之间的待测掺杂区域之间的电压，获得待掺杂区域的方块电阻值。
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