[发明专利]掩模基底及其制造方法、相移掩模及其制造方法有效
| 申请号： | 201811051930.4 | 申请日： | 2018-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN109782525B | 公开（公告）日： | 2023-10-27 |
| 发明（设计）人： | 诸沢成浩 | 申请（专利权）人： | 爱发科成膜株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/26 | 分类号： | G03F1/26;G03F1/48 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 崔今花;周艳玲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种掩模基底及其制造方法、相移掩模及其制造方法。本发明的掩模基底为具有成为相移掩模的层的掩模基底，所述掩模基底具有：层叠在透明基板上的相移层和低反射率层；和耐化学品层，设置在比所述相移层及所述低反射率层更远离所述透明基板的位置上且提高了耐化学品性，所述耐化学品层中的含氮率被设定为比所述低反射率层的含氮率高。 | ||
| 搜索关键词： | 基底 及其 制造 方法 相移 | ||
【主权项】：
1.一种掩模基底，具有成为相移掩模的层，所述掩模基底具有：层叠在透明基板上的相移层和低反射率层；和耐化学品层，设置在比所述相移层及所述低反射率层更远离所述透明基板的位置上且提高了耐化学品性，所述耐化学品层中的含氮率被设定为比所述低反射率层的含氮率高。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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