[发明专利]晶体管、半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201811052366.8 | 申请日： | 2018-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN110890424A | 公开（公告）日： | 2020-03-17 |
| 发明（设计）人： | 周步康 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/41;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种晶体管、半导体器件及其形成方法，栅极结构包括栅导电层，所述栅导电层的底部延伸至所述衬底的第一深度位置，所述栅导电层的顶部位于所述衬底的第二深度位置，以及所述栅导电层的横向宽度尺寸从一预定深度位置至所述第二深度位置逐渐减小，以使所述栅导电层与所述漏区之间的间距尺寸从所述预定深度位置至所述第二深度位置逐渐增加，使所述栅极结构的顶部呈上小下大的结构，从而在栅导电层上施加电压时，栅极结构的顶部与漏区之间的距离更远，减小了半导体器件的栅极与漏极之间的电场，进而减小了GIDL泄露，从而提高了半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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