[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质

摘要

本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。半导体器件的制造方法具有：第一处理工序，在对形成有绝缘膜的衬底进行加热的同时，对衬底供给还原性的第一气体，所述衬底具有多个在底部露出第一含金属膜的槽；和第二处理工序，在第一处理工序后，向多个槽内供给第二气体、第三气体和第四气体，从而在槽内形成相变膜。

主权项

1.半导体器件的制造方法，其具有：第一处理工序，在对形成有绝缘膜的衬底进行加热的同时，对所述衬底供给还原性的第一气体，所述衬底具有多个在底部露出第一含金属膜的槽；和第二处理工序，在所述第一处理工序后，向多个所述槽内供给第二气体、第三气体和第四气体，从而在所述槽内形成相变膜。