[发明专利]光学元件制备方法和太赫兹波段光学元件有效

专利信息
申请号: 201811053084.X 申请日: 2018-09-10
公开(公告)号: CN109128510B 公开(公告)日: 2020-08-11
发明(设计)人: 王度;张传超;许乔;廖威;李亚国;袁志刚;金会良;耿锋;刘志超;欧阳升;蒋晓东;王健 申请(专利权)人: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
主分类号: B23K26/352 分类号: B23K26/352;B23K26/402;G02B1/118
代理公司: 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 代理人: 吴开磊
地址: 610000 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明提供的光学元件制备方法和太赫兹波段光学元件,涉及光学元件加工技术领域。其中,光学元件制备方法包括:提供一石英晶体,作为所述太赫兹波段光学元件的本体结构;通过激光器输出一二氧化碳激光,并通过光学组件对该二氧化碳激光进行调节处理;通过扫描振镜控制经过调节处理后的二氧化碳激光按照预设的扫描路径作用于所述石英晶体的待处理面,以在该待处理面上沿所述扫描路径依次制作形成多个凹坑结构,以得到包括本体结构和凹坑结构的太赫兹波段光学元件。通过上述方法,可以有效地在石英晶体上制作凹坑结构,以降低石英晶体表面的反射率、提高制备的太赫兹波段光学元件的透射率。
搜索关键词: 光学 元件 制备 方法 赫兹 波段
【主权项】:
1.一种光学元件制备方法,用于制备太赫兹波段光学元件,其特征在于,所述方法包括:提供一石英晶体,作为所述太赫兹波段光学元件的本体结构;通过激光器输出一二氧化碳激光,并通过光学组件对该二氧化碳激光进行调节处理;通过扫描振镜控制经过调节处理后的二氧化碳激光按照预设的扫描路径作用于所述石英晶体的待处理面,以在该待处理面上沿所述扫描路径依次制作形成多个凹坑结构,以得到包括本体结构和凹坑结构的太赫兹波段光学元件;其中,所述待处理面为所述石英晶体在光轴方向上的表面,所述凹坑结构用于增加所述石英晶体的透射率。
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