[发明专利]一种制备亚微米周期任意极化图案铌酸锂微盘腔的方法有效
| 申请号： | 201811053887.5 | 申请日： | 2018-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN109061910B | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 薄方;张莉;郝振中;高峰;张国权;许京军 | 申请（专利权）人： | 南开大学 |
| 主分类号： | G02F1/05 | 分类号： | G02F1/05 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300071*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供一种制备亚微米周期任意极化图案铌酸锂微盘腔的方法，其包括以下步骤：步骤一，生成带下电极的铌酸锂薄膜；步骤二，在铌酸锂薄膜上制备微盘腔掩模图案；步骤三，对样品进行反应离子束刻蚀，形成铌酸锂微盘；步骤四，在铌酸锂微盘上构造任意图案的极化结构；步骤五，对样品进行金属层和二氧化硅层刻蚀，形成边缘悬空的周期极化铌酸锂微盘腔。该发明操作简单，精度高，可实现具有小周期任意极化图案的铁电晶体微腔的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 微米 周期 任意 极化 图案 铌酸锂微盘腔 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备亚微米周期任意极化图案铌酸锂微盘腔的方法，其特征在于，其包括以下步骤：步骤一，生成带下电极的铌酸锂薄膜；步骤二，在铌酸锂薄膜上制备微盘腔掩模图案；步骤三，对样品进行反应离子束刻蚀，形成铌酸锂微盘；步骤四，在铌酸锂微盘上构造任意图案的极化结构；步骤五，对样品进行金属层和二氧化硅层刻蚀，形成边缘悬空的周期极化铌酸锂微盘腔。
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