[发明专利]一种硅基光电材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201811054222.6 申请日: 2018-09-11
公开(公告)号: CN109449224B 公开(公告)日: 2020-12-25
发明(设计)人: 高志飞;郑灵浪;谢浩;尤新安;王贤江 申请(专利权)人: 宁波革鑫新能源科技有限公司
主分类号: H01L31/032 分类号: H01L31/032;H01L21/02
代理公司: 深圳盛德大业知识产权代理事务所(普通合伙) 44333 代理人: 贾振勇
地址: 315000 浙江省宁波市*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明适用于光电技术领域,提供了一种硅基光电材料,其特征在于,包括:单晶硅片;附着于所述单晶硅片上的Er掺杂CeO2薄膜;以及附着于所述Er掺杂CeO2薄膜表面的Ag颗粒层。本发明实施例提供的硅基光电材料,相对于没有沉积Ag颗粒的硅基Er掺杂CeO2薄膜材料,激发峰左移,光致发光强度有明显提高,尤其是Er3+的~1540nm波长的发光峰强度显著增加,发光效率明显提高,发光性能得到了极大的改善,更加适用于产业应用。
搜索关键词: 一种 光电 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种硅基光电材料,其特征在于,包括:单晶硅片;附着于所述单晶硅片上的Er掺杂CeO2薄膜;以及附着于所述Er掺杂CeO2薄膜表面的Ag颗粒层。
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