[发明专利]一种高纯纳米晶硅的生产方法有效
| 申请号： | 201811055695.8 | 申请日： | 2018-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN110890537B | 公开（公告）日： | 2023-08-04 |
| 发明（设计）人： | 孟祥曼;王亮;江宏富;高海棠 | 申请（专利权）人： | 江苏中能硅业科技发展有限公司;鑫创新材料科技（徐州）有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/38 | 分类号： | H01M4/38;H01M10/0525;C01B33/02;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 221004 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高纯纳米晶硅的生产方法，1）将废硅料和/或副产硅粉，经预处理后得到10～50μm硅粉；2）将步骤1）中的硅粉按照固含量5～30 wt%的比例加入到分散液中，再加入1～10wt%的分散剂，在分散罐中搅拌，形成硅粉浆料；3）将步骤2）形成硅粉浆料抽至砂磨机进行研磨，得到平均粒径为20～30 nm纳米晶硅浆料；4）将步骤3）中得到的纳米晶硅浆料输送至喷雾干燥系统，获得纳米多孔晶硅颗粒。本发明实现低成本大规模生产，有效地控制纳米晶硅的稳定性、纯度和粒度，生产的纳米多孔晶硅颗粒形貌可调，其内部孔隙为纳米连通孔，有效地缓解硅的体积膨胀，也显著地提高硅负极的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高纯 纳米 生产 方法 | ||
【主权项】：
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