[发明专利]一种集成化阻变存储器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种集成化阻变存储器及其制备方法，包括基底、压印层、底电极层、隔离层、阻变层和顶电极层；基底的材质为二氧化硅片或玻璃；压印层和隔离层的材质为聚甲基丙烯酸甲酯或聚苯乙烯材料；金属导电层材质为银或金；阻变层贯穿隔离层和底电极层至一定深度至压印层；阻变层材料为氧化铪或氧化铜；顶电极层为铝或铂。本发明提供的制备方法，工艺过程不需要使用传统的光刻工艺技术，制造工艺简单且设备和原料投资少，能够实现RRAM的大面积、多层、一致性好且集成化制造，能显著降低RRAM集成化制造工艺成本。

主权项

1.一种集成化阻变存储器，其特征在于，包括：基底(1)、压印层(2)、底电极层(3)、隔离层(4)、阻变层(5)、顶电极层(6)和若干凹槽；压印层(2)设置在基底(1)上，底电极层(3)设置在压印层(2)上，隔离层(4)设置在底电极层(3)上；每个凹槽均贯穿底电极层(3)和隔离层(4)，并伸入压印层(2)中；每个凹槽内均设置有阻变层(5)和顶电极层(6)，阻变层(5)将伸入凹槽内的顶电极层(6)与底电极层(3)和隔离层(4)隔开。