[发明专利]一种熔石英元件修复方法及熔石英元件在审
| 申请号： | 201811058780.X | 申请日： | 2018-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN108892395A | 公开（公告）日： | 2018-11-27 |
| 发明（设计）人： | 李亚国;耿锋;许乔;欧阳升;金会良;王度;刘志超;袁志刚;张清华;王健 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 |
| 主分类号： | C03C23/00 | 分类号： | C03C23/00 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 赵丽娜 |
| 地址： | 610000 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本申请提供一种熔石英元件修复方法及熔石英元件，所述熔石英元件修复方法包括：步骤a，将待修复的熔石英元件进行清洁；步骤b，将熔石英元件在预设温度下与硅前驱气体进行反应，以使所述硅前驱气体通过与所述熔石英元件表面的羟基反应吸附在所述熔石英元件表面；步骤c，对所述熔石英元件进行清理；步骤d，采用氧前驱气体与经步骤c清理后的所述熔石英元件表面的硅前驱气体进行反应，在所述熔石英元件表面形成原子层；步骤e，对经步骤d处理后的所述熔石英元件进行清理；步骤f，重复步骤b～步骤e，直到形成的原子层将所述熔石英元件表面的裂纹填平，以完成对所述熔石英元件的修复。 | ||
| 搜索关键词： | 熔石英 元件表面 前驱气体 元件修复 原子层 修复 羟基反应 吸附 预设 填平 清洁 重复 申请 | ||
【主权项】：
1.一种熔石英元件修复方法，其特征在于，所述方法包括：步骤a，将待修复的熔石英元件进行清洁；步骤b，将熔石英元件在预设温度下与硅前驱气体进行反应，以使所述硅前驱气体通过与所述熔石英元件表面的羟基反应吸附在所述熔石英元件表面；步骤c，对所述熔石英元件进行清理；步骤d，采用氧前驱气体与经步骤c清理后的所述熔石英元件表面的硅前驱气体进行反应，在所述熔石英元件表面形成原子层；步骤e，对经步骤d处理后的所述熔石英元件进行清理；步骤f，重复步骤b～步骤e，直到形成的原子层将所述熔石英元件表面的缺陷填平，以完成对所述熔石英元件的修复。
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