[发明专利]基于水平位移控制和磁能转移的逃逸电子束位移控制方法

摘要

本发明公开了一种基于水平位移控制和磁能转移的逃逸电子束位移控制方法，基于托卡马克装置上的等离子体水平位移控制系统；在等离子体破裂的瞬间，根据破裂后逃逸电子的运动特征，将等离子体位移设置到与其运动方向相反的位置，并确定水平位移偏差的大小和方向；采用托卡马克装置上的磁能转移装置，将开关触发控制端连接到托卡马克中央控制系统；等离子体破裂瞬间，托卡马克中央控制系统发出破裂动作信号触发快速开关导通，通过等离子体电流的变化，在磁能转移线圈上感应出与等离子体电流方向相同的电流。本发明使得逃逸电子束能够长时间约束在装置内，以便于有充足的时间采取破裂缓解措施；且本发明不需要复杂的技术手段，简单可靠，实现成本低。

主权项

1.基于水平位移控制和磁能转移的逃逸电子束位移控制方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤一：基于托卡马克装置上的等离子体水平位移控制系统，在等离子体未破裂时，等离子体的水平位移的预设误差为零，等离子体位于真空室的中心；在等离子体破裂的瞬间，根据破裂后逃逸电子的运动特征，将等离子体位移设置到与其运动方向相反的位置，并根据逃逸电子漂移的特征确定水平位移偏差的大小和方向；步骤二：采用托卡马克装置上的磁能转移装置，将开关触发控制端连接到托卡马克中央控制系统；在等离子体破裂未发生时，快速开关处于断开状态；在等离子体破裂瞬间，由托卡马克中央控制系统发出破裂动作信号触发快速开关导通；随着等离子体电流的变化，在磁能转移线圈上感应出与等离子体电流方向相同的电流。