[发明专利]一种微米周期结构ITO电极的OLED及其制备方法

摘要

一种微米周期结构ITO电极的OLED及其制备方法，属于OLED生产制造技术领域，玻璃基板的正面依次设有ITO层、微米周期结构层、空穴注入层、空穴传输层、电子阻档层、发光层、空穴阻档层、电子传输层、电子注入层和金属电极层；玻璃基板的背面依次设有散射层和固化层。本发明OLED结构新颖，制备原理清晰，ITO微米周期结构是通过SiO₂微纳米直径小球作ICP‑RIE掩膜完成，在有机发光层蒸镀前，使用H₂O₂、CO₂的水气二流体处理ITO表面，增加ITO表面的功函数至5.3V左右，以提升电子空穴的注入效率，玻璃基板上形成散射层是通过紫外固化光学胶(NOA73)胶水，SiO₂微纳米直径小球涂覆固化于玻璃基板，可以取得10～20%发光效率的提升，且工艺基础成熟，原材料容易取得，利于批量化生产。

主权项

1.一种微米周期结构ITO电极的OLED，包括玻璃基板(100)；其特征在于：所述玻璃基板(100)的正面依次设有ITO层(101)、微米周期结构层(102)、空穴注入层(103)、空穴传输层(104)、电子阻档层(105)、发光层(106)、空穴阻档层(107)、电子传输层(108)、电子注入层(109)和金属电极层(110)；所述玻璃基板(100)的背面依次设有散射层(200)和固化层(201)。