[发明专利]一种降低二硫化钼基催化析氢电极电荷转移阻抗的方法有效

专利信息
申请号: 201811060352.0 申请日: 2018-09-12
公开(公告)号: CN109112565B 公开(公告)日: 2020-05-22
发明(设计)人: 冯哲圣;李培真;陈金菊;王焱;陈龙 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: C25B1/04 分类号: C25B1/04;C25B11/06
代理公司: 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 代理人: 蒋秀清;李春芳
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明属于催化析氢技术领域,具体涉及一种降低二硫化钼基催化析氢电极电荷转移阻抗的方法。针对现有的二硫化钼纳米薄片间及其与底部电极之间载流子传输效率低、半导体2H相二硫化钼催化析氢活性低的问题,本发明的技术核心包括如下内容:[1]掺入聚乙烯吡咯烷酮,使二硫化钼产生由半导体2H相到金属1T相的转变;[2]均匀引入还原氧化石墨烯形成三维导电网络,改善二硫化钼片层间及与底部电极的电接触;[3]铜薄膜电极作为导电基底,其与催化活性功能层有优良电接触,可有效提升电荷转移效率。本发明适用于常温下酸性溶液中的催化析氢反应。
搜索关键词: 一种 降低 二硫化钼 催化 电极 电荷 转移 阻抗 方法
【主权项】:
1.一种降低二硫化钼基催化析氢电极电荷转移阻抗的方法,其特征在于:在采用液相超声剥离法制备二硫化钼纳米薄片的过程中,向剥离溶剂中添加聚乙烯吡咯烷酮和还原氧化石墨烯,得到二硫化钼纳米薄片、聚乙烯吡咯烷酮和还原氧化石墨烯的混合分散液。
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