[发明专利]银膜蚀刻液组合物、用它的蚀刻方法及金属图案形成方法有效
| 申请号： | 201811060573.8 | 申请日： | 2018-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN110158088B | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 南基龙;尹暎晋;李原昊 | 申请（专利权）人： | 东友精细化工有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/30 | 分类号： | C23F1/30;H01L21/3213;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京市中伦律师事务所 11410 | 代理人： | 杨黎峰;钟锦舜 |
| 地址： | 韩国全*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种银薄膜蚀刻液组合物、利用它的蚀刻方法及金属图案形成方法。相对于组合物的总重量，该银薄膜蚀刻液组合物包含7至15重量％的硝酸、3至8重量％的碳原子数为1至3的烷基磺酸、10至20重量％的除烷基磺酸以外的第一有机酸、15至35重量％的除烷基磺酸以外的第二有机酸、5至15重量％的除烷基磺酸以外的第三有机酸、5至15重量％的硫酸盐及余量的水。该银薄膜蚀刻液组合物用于蚀刻由银(Ag)或银合金组成的单层膜或由所述单层膜和透明传导膜构成的多层膜，并且不会发生残渣(例如，银残渣和/或透明传导膜残渣等)及银再吸附问题。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 组合 方法 金属 图案 形成 | ||
【主权项】：
1.一种银薄膜蚀刻液组合物，其特征在于，相对于组合物的总重量，包含：A：7重量％至15重量％的硝酸；B‑1：3重量％至8重量％的碳原子数为1至3的烷基磺酸；B‑2：10重量％至20重量％的除烷基磺酸以外的第一有机酸；B‑3：15重量％至35重量％的除烷基磺酸以外的第二有机酸；B‑4：5重量％至15重量％的除烷基磺酸以外的第三有机酸；C：5重量％至15重量％的硫酸盐；及D：余量的水。
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