[发明专利]集成电路器件在审

专利信息
申请号: 201811060645.9 申请日: 2018-09-12
公开(公告)号: CN109585527A 公开(公告)日: 2019-04-05
发明(设计)人: 金文铉;黄成万;卢昶佑;金洞院;吴汉洙 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L29/06 分类号: H01L29/06;H01L29/78
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 张波
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 一种集成电路器件包括:基底掩埋绝缘膜,其覆盖衬底上的鳍型有源区的下侧壁;隔离图案,其具有比基底掩埋绝缘膜的顶表面高的顶表面;以及栅极线,其覆盖鳍型有源区的沟道部分。栅极线具有上栅极和下栅极,上栅极覆盖沟道部分的上部,下栅极从上栅极朝向衬底突出并填充沟道部分的下侧壁与隔离图案的上侧壁之间的空间。
搜索关键词: 沟道 集成电路器件 掩埋绝缘膜 鳍型有源区 隔离图案 顶表面 下侧壁 栅极线 衬底 基底 覆盖 上侧壁 填充
【主权项】:
1.一种集成电路器件,包括:鳍型有源区,其从衬底突出并且在第一水平方向上纵向地延伸;基底掩埋绝缘膜,其包括在所述衬底上的垂直延伸部和水平延伸部,所述垂直延伸部覆盖所述鳍型有源区的下侧壁并且具有在第一水平处的第一顶表面,所述水平延伸部一体地连接到所述垂直延伸部并且覆盖所述衬底的顶表面;隔离图案,其在所述水平延伸部上覆盖所述垂直延伸部的侧壁并且具有在第二水平处的第二顶表面,所述第二水平高于所述第一水平;以及栅极线,其具有上栅极和下栅极,所述上栅极在交叉所述第一水平方向的第二水平方向上延伸,以覆盖所述鳍型有源区的沟道部分的上部和所述隔离图案的所述第二顶表面,所述下栅极从所述上栅极朝向所述衬底突出并且填充在所述沟道部分的下部与所述隔离图案的上侧壁之间在所述第一顶表面上的空间。
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