[发明专利]红外光探测器及其制作方法有效
| 申请号： | 201811061275.0 | 申请日： | 2018-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN110896113B | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 黄勇;赵宇;吴启花;熊敏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L31/103 | 分类号： | H01L31/103;H01L31/18;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种红外光探测器，包括第一电极、多个第二电极、N型衬底以及依序叠层于N型衬底的第一表面上的N型超晶格吸收层、N型超晶格势垒层和N型超晶格接触层，N型超晶格接触层中形成有多个P型超晶格接触部，多个P型超晶格接触部彼此独立，第一电极设置于N型衬底的与第一表面相对的第二表面上，多个第二电极彼此独立，每个P型超晶格接触部上设置对应的一个第二电极。本发明还公开了如上述的红外光探测器的制作方法。本发明解决了如何将平面结构整合到锑化物二类超晶格异质结红外探测器的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 红外光 探测器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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